Stanisława Anna Dalczyńska-Jonas: Różnice pomiędzy wersjami

Z Historia AGH
Nie podano opisu zmian
Nie podano opisu zmian
 
(Nie pokazano 12 wersji utworzonych przez 3 użytkowników)
Linia 6: Linia 6:
|birth_date=22 maja 1944
|birth_date=22 maja 1944
|birth_place=Karsy Małe
|birth_place=Karsy Małe
|fields=inżynieria materiałowa, technologia cienkich warstw, materiały do elektroniki, wysokoogniotrwałe kompozyty
|faculty=Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki
|faculty=Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki
|name=Stanisława Anna Jonas-Dalczyńska
|awards=Złoty Krzyż Zasługi, Medal Komisji Edukacji Narodowej
|image_size=11119
}}
}}
Prof. dr hab. inż. '''Stanisława Anna Dalczyńska-Jonas''' (1944–)   
Prof. dr hab. inż. '''Stanisława Anna Dalczyńska-Jonas''' (1944–)   
'''<span style="color:red;">biogram będzie uzupełniony</span>'''


Dyscyplina/specjalności:
Dyscyplina/specjalności: inżynieria materiałowa, technologia cienkich warstw, materiały do elektroniki, wysokoogniotrwałe kompozyty


== Nota biograficzna ==
== Nota biograficzna ==
Linia 24: Linia 23:


W 1968 roku rozpoczęła pracę asystenta stażysty w Zakładzie i Katedrze Chemii Krzemianów [[Wydział Ceramiczny|Wydziału Ceramicznego]] AGH.
W 1968 roku rozpoczęła pracę asystenta stażysty w Zakładzie i Katedrze Chemii Krzemianów [[Wydział Ceramiczny|Wydziału Ceramicznego]] AGH.


W 1977 roku na podstawie pracy "Reakcje chemiczne w układzie SiC/s/ - O2/g/ w podwyższonych temperaturach", napisanej pod kierunkiem profesora Romana Pampucha, uzyskała doktorat.
W 1977 roku na podstawie pracy "Reakcje chemiczne w układzie SiC/s/ - O2/g/ w podwyższonych temperaturach", napisanej pod kierunkiem profesora Romana Pampucha, uzyskała doktorat.


W 1990 roku na podstawie rozprawy "Spójny model zjawisk transportu masy i reakcji chemicznych w procesie chemicznej krystalizacji z fazy gazowej" uzyskała stopień doktora habilitowanego.
W 1990 roku na podstawie rozprawy "Spójny model zjawisk transportu masy i reakcji chemicznych w procesie chemicznej krystalizacji z fazy gazowej" uzyskała stopień doktora habilitowanego.
W 1996 roku została profesorem nadzwyczajnym AGH.


W 2002 roku otrzymała tytuł profesora.
W 2002 roku otrzymała tytuł profesora.
Linia 34: Linia 34:
Od początku swej działalności naukowej rozwija tematykę badawczą w zakresie reakcji chemicznych i procesów fizycznych na granicy rozdziału ciało stałe — gaz. Głównym obiektem jej zainteresowań w tej dziedzinie jest modyfikacja powierzchni materiałów warstwami o specyficznych właściwościach elektrycznych, chemicznych i mechanicznych metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej.
Od początku swej działalności naukowej rozwija tematykę badawczą w zakresie reakcji chemicznych i procesów fizycznych na granicy rozdziału ciało stałe — gaz. Głównym obiektem jej zainteresowań w tej dziedzinie jest modyfikacja powierzchni materiałów warstwami o specyficznych właściwościach elektrycznych, chemicznych i mechanicznych metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej.


Autorka lub współautorka około 250 publikacji, 6 patentów i dwu monografii.


Jest głównym organizatorem pracowni wyposażonej w nowoczesną aparaturę do chemicznego osadzania z fazy gazowej wspomaganej polem mikrofalowym oraz urządzenia do badań właściwości otrzymywanych warstw.


Autorka lub współautorka ok. 80 publikacji, kilku patentów i dwu monografii. Jest głównym organizatorem pracowni wyposażonej w nowoczesną aparaturę do chemicznego osadzania z fazy gazowej wspomaganej polem mikrofalowym oraz urządzenia do badań właściwości otrzymywanych warstw. Członek New York Academy of Sciences, USA.
Przed przejściem na emeryturę pracowała w Katedrze Fizykochemii i Modelowania Procesów WIMiC.
 
 


Była kierownikiem Katedry Materiałów Ogniotrwałych i Procesów Wysokotemperaturowych.


Członek New York Academy of Sciences, USA.


==== Odznaczenia i nagrody ====


==== Odznaczenia i nagrody ====
[[Złoty Krzyż Zasługi]], [[Medal Komisji Edukacji Narodowej]], wielokrotnie Nagroda Rektora AGH


==== Bibliografia publikacji ====
==== Bibliografia publikacji ====
https://badap.agh.edu.pl/autor/dalczynska-jonas-stanislawa-002359


== Źródła do biogramu ==
== Źródła do biogramu ==


==== Książki ====
==== Książki ====


* Kronika i spis absolwentów Akademii Górniczo-Hutniczej im. Stanisława Staszica 1919-1979. T. 2. Pion hutniczy. Kraków 1979, s. 222
* Kronika i spis absolwentów Akademii Górniczo-Hutniczej im. Stanisława Staszica 1919-1979. T. 2. Pion hutniczy. Kraków 1979, s. 222
Linia 63: Linia 66:
==== Inne ====
==== Inne ====


*
* prof. dr hab. inż. Stanisława Anna Dalczyńska-Jonas - System ...[online] [przeglądany 25.05.2021]. Dostępny w:https://recenzenci.opi.org.pl/sssr-web/site/people-details?personId=e288dd97145232a5
 
 


{{DEFAULTSORT:Dalczyńska-Jonas, Stanisława Anna}}
{{DEFAULTSORT:Dalczyńska-Jonas, Stanisława Anna}}
[[Category:Biogramy]]
[[Category:Biogramy]]


 
'''''<span style="color:red;">stan na dzień 28.03.2023</span>'''''
'''''<span style="color:red;">stan na dzień 25.05.2021</span>'''''

Aktualna wersja na dzień 14:48, 28 mar 2023

Stanisława Anna Dalczyńska-Jonas
Stanislawa Jonas-Dalczynska.jpg
Nazwisko Dalczyńska-Jonas
Imię / imiona Stanisława Anna
Tytuły / stanowiska Prof. dr hab. inż.
Data urodzenia 22 maja 1944
Miejsce urodzenia Karsy Małe


Dyscyplina/specjalności inżynieria materiałowa, technologia cienkich warstw, materiały do elektroniki, wysokoogniotrwałe kompozyty
Wydział Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki


Odznaczenia i nagrody Złoty Krzyż Zasługi, Medal Komisji Edukacji Narodowej

Prof. dr hab. inż. Stanisława Anna Dalczyńska-Jonas (1944–)

Dyscyplina/specjalności: inżynieria materiałowa, technologia cienkich warstw, materiały do elektroniki, wysokoogniotrwałe kompozyty

Nota biograficzna

Urodziła się 22 maja 1944 roku w Karsach Małych, w powiecie buskim.

W 1962 roku ukończyła Liceum Ogólnokształcące w Busku-Zdroju.

W 1968 roku ukończyła Wydział Ceramiczny AGH.

W 1968 roku rozpoczęła pracę asystenta stażysty w Zakładzie i Katedrze Chemii Krzemianów Wydziału Ceramicznego AGH.

W 1977 roku na podstawie pracy "Reakcje chemiczne w układzie SiC/s/ - O2/g/ w podwyższonych temperaturach", napisanej pod kierunkiem profesora Romana Pampucha, uzyskała doktorat.

W 1990 roku na podstawie rozprawy "Spójny model zjawisk transportu masy i reakcji chemicznych w procesie chemicznej krystalizacji z fazy gazowej" uzyskała stopień doktora habilitowanego.

W 1996 roku została profesorem nadzwyczajnym AGH.

W 2002 roku otrzymała tytuł profesora.

Od początku swej działalności naukowej rozwija tematykę badawczą w zakresie reakcji chemicznych i procesów fizycznych na granicy rozdziału ciało stałe — gaz. Głównym obiektem jej zainteresowań w tej dziedzinie jest modyfikacja powierzchni materiałów warstwami o specyficznych właściwościach elektrycznych, chemicznych i mechanicznych metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej.

Autorka lub współautorka około 250 publikacji, 6 patentów i dwu monografii.

Jest głównym organizatorem pracowni wyposażonej w nowoczesną aparaturę do chemicznego osadzania z fazy gazowej wspomaganej polem mikrofalowym oraz urządzenia do badań właściwości otrzymywanych warstw.

Przed przejściem na emeryturę pracowała w Katedrze Fizykochemii i Modelowania Procesów WIMiC.

Była kierownikiem Katedry Materiałów Ogniotrwałych i Procesów Wysokotemperaturowych.

Członek New York Academy of Sciences, USA.

Odznaczenia i nagrody

Złoty Krzyż Zasługi, Medal Komisji Edukacji Narodowej, wielokrotnie Nagroda Rektora AGH

Bibliografia publikacji

https://badap.agh.edu.pl/autor/dalczynska-jonas-stanislawa-002359

Źródła do biogramu

Książki

  • Kronika i spis absolwentów Akademii Górniczo-Hutniczej im. Stanisława Staszica 1919-1979. T. 2. Pion hutniczy. Kraków 1979, s. 222
  • Kto jest kim w ceramice : 50-lecie Wydziału Inżynierii Materiałowej i Ceramiki 1949-1999. [AGH]. Kraków : 1999, s. 129, [foto]
  • [Skład Osobowy AGH … 1968/69]. Kraków 1969, s. 59
  • Wielka Księga 85-lecia Akademii Górniczo-Hutniczej. [Oprac.] zespół aut. K. Pikoń (red. naczelny), A. Sokołowska (dyrektor projektu), K. Pikoń. Gliwice 2004, s. 64, [foto]

Artykuły

  • Informacje kadrowe. Biuletyn Informacyjny Pracowników AGH 2003, nr 113, s. 13

Inne

stan na dzień 28.03.2023